StartseiteLänderEuropaTschechische RepublikVerbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -

Verbundprojekt: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -

Laufzeit: 01.05.2023 - 30.04.2026 Förderkennzeichen: 16MEE0283
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen (IMWS)

Im EU-Vorhaben "All2GaN2 arbeiten deutsche und europäische Partner zusammen, um führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern und weiter auszubauen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei die Entwicklung von neuen Leistungs- und RF-GaN-Technologien für verschiedene Spannungsklassen, einschließlich einer modularen Reihe von integrierten System-on-Chip-Funktionen wie Strommessung, Schutz, Treiber und Halbbrücken sowie Packungstechnologien zur Unterstützung spezifischer Anforderungen an das GaN-Schichtsystem.Das Fraunhofer IMWS wird die Entwicklung von zuverlässigen High-Performance GaNBauelementen mit der Erforschung der mikrostrukturellen Eigenschaften und Auswirkungen von Grenzflächeneigenschaften und Defekten in den epitaktischen Schichten mittels hochauflösender Verfahren der Materialcharakterisierung und Fehlerdiagnostik unterstützen.

Verbund: Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Tschechische Republik Dänemark Spanien Griechenland Niederlande Norwegen Slowakei Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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